🎛️让人感到抓马的电子元器件知识
2025-2-1
| 2025-7-3
字数 1839阅读时长 5 分钟
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为什么阻容感器件的取值不都是整数

简而言之,因为阻容器件的取值都是行业协会和产业联盟事先制定好了规范的,大家都基于一个规范进行生产,从而确保器件的通用性。
电子工业联盟(ECIA,Electronics Industry Alliance)是一个由美国电子产品生产制造企业组成的一个组织,由其EIA 标准化委员会提出的E 系列标准参数值(E-series)是现代全球电子工业当中,电阻器、电容器、电感器、齐纳二极管等分立式电子元器件的标准参数值系统,其主要包括E3、E6、E12、E24、E48、E96和E192七个系列,每个系列都对应着不同的精度与误差。基于产品通用性和兼容性的考量,目前全球各大半导体企业都基于该标准生产制造分立式元件。
 

基本条件:相邻电阻的服务范围不重叠

假设电阻精度为 ,标称值 的实际阻值范围为 。为使相邻标称值的服务范围不重叠,需满足:
解得相邻标称值的比值:
 

10 倍程的等比数列设计

每个数量级(如1~10、10~100)内的标称值按等比数列分布。设每个 10 倍程内有 个间隔,则公比 满足:
结合精度条件 ,联立得:
取自然对数解
 

标称值的具体公式

根据等比数列的设计,每个10倍程内的标称值应该是从 开始,以公比 递增的序列。因此,第 个标称值的正确公式应为:
其中 ,而不是 。因为在一个 10 倍程内(例如从 1 到 10),只需要 个间隔即可覆盖整个范围,共生成 个标称值(包括起点和终点)。但最后一个标称值 实际上是下一个数量级的起点 ,因此公式中的 应限制为
修正后的公式:
其中:
  • 为当前数量级的第一个标称值(如 1 Ω、10 Ω)。
  • 为下一个数量级的起点。
示例验证(E24 系列,):
  • (起点)。
  • (下一个数量级的起点)。
因此,正确的标称值公式应限定 的范围为
 

实际应用示例(以 E24 系列 精度为例)

  1. 计算公比
    1. 求间隔数
      1. 生成标称值: 每个数量级分为 24 个间隔,实际 E24 系列标称值为: [ 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.6, 3.9, 4.3, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1 ]
       

      关键结论

      • 数学核心:标称值按 的等比数列分布,确保覆盖整个数量级。
      • 工程优化:通过调整 和四舍五入,平衡精度、覆盖范围和易用性。
      • 标准系列:E6()、E12()、E24()等均基于此原理设计。
       

      晶体管

      晶体管(Transistor)是一种以固态半导体作为制造原材料的元器件,通常都至少拥有三只引脚,可以划分为如下一系列类型:
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      Why NPN Transistors are more popular than PNP Transistors

      • 负载连接方式
        • 无论是NPN还是PNP晶体管,负载都连接在集电极和发射极之间。
        • NPN 常用于控制负极(负载接集电极与电源正极) 。
        • PNP 常用于控制正极(负载接发射极与电源负极) 。
       

      BJT vs FET

      双极型晶体管BJT,Bipolar Junction Transistor):即前面介绍的三极管,如前所述,可以划分为 NPN 型和 PNP 型两种。
      单极型晶体管FET,Field Effect Transistor):即本节内容即将介绍的场效应管,根据材料还可以细分为 JFET(结型)和 MOSFET(金属氧化物型),两者还可以进一步被划分为 N 沟道和 P 沟道 类型。
      注意双极型晶体管(BJT)的载流子包含电子空穴两种,类似于拥有两个极性,所以称为双极型;而在单极型晶体管当中,只存在电子或者空穴两种载流子当中的一种,类似于只存在着一个极性,因而被称为单极型
      虽然场效应管和之前讨论过的三极管在外形上都拥有着三只引脚,但是场效应管的核心原理是通过栅极与源极两端的电压,来控制漏极的电流,因而被称为压控型元器件。
      而三极管则是通过基极电流 控制集电极电流 ,所以被称为流控型元器件。
      • 应用差异:
        • 双极型晶体管适合放大大信号,通常用于放大器和开关电路中,因为它具有高输入阻抗、大信号增益和快速响应特性。
        • 单极型晶体管适合放大小信号,通常用于传感器和通信电路中,因为它具有高输入阻抗和低噪声系数。
       
       

      JFET vs MOSFET

      结型场效应管 JFET 可以划分为 P 沟道和 N 沟道两种类型,因其工作电流非常小(最大仅有 500 mA,大部分低于 100 mA),导致应用场合十分有限,仅有百余种型号。
       

      MOS

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      实际生产环境下,增强型 NMOS 会更加常用。
      注意:相比于增强型 MOS 管,耗尽型 MOS 管的型号非常稀少(仅十余种),因而实际工作当中极少被使用。
       

      CCD vs CMOS

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      上拉电阻

      PS

      本文章借助商量和 MiniMax 完成。
    2. notes
    3. Palantir 汇报笔记请回答 2024
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